次回作の案。FET+Tr異種INVダーリントンを検証する。

ここ最近、ソースフォロワーやエミッタフォロアーの作品が続いている。
特にMOS-FETを使ったソースフォロワーの音には目から鱗な驚きがあった。
しかし、MOS-FETは比較的Vgsが高いため、低電圧な回路には不向きである。
例えば、USB電源(5V)を利用したアンプを作りたい時、MOS-FETだとおおよそ2V以上のVgsでの電圧降下があるため、0dBアンプであっても設計が苦しい。無理に作ると散々な特性になってしまう。

そこで考えたのは、入力インピーダンスが高いJFETと、電流を多く流せるトランジスタの組み合わせ。それも、インバーテッドダーリントン異種格闘技戦である。以下にシミュレーションでの検証結果を示す。
条件は電源電圧5V、入力は2Vppのサイン波、負荷は32Ω(普段使いのヘッドホンを想定)である。

評価回路

直列2個の250kの中点から出力点(出力C、1000uの手前)での電圧降下は、なんと227mV強しかない。

周波数特性

10MHz近くまで伸びている。おかしなピークも無く、フラットである。
歪率はどうだろうか？

歪率

Total Harmonic Distortion: 0.070355%
なんと、歪率が0.1を切ってしまっている。
ちなみに、前作の2SC1815アンプの歪率は、

前作の歪率

Total Harmonic Distortion: 0.290453%
前作のアンプは電源電圧が6Vなため有利のはずが、完勝である(笑)
しかし、0.290453%が悪いのか？と言うと、特性と実際に作って聴いてみた印象はまるっきり違うのがまた面白い。

ジャンク箱に全ての材料は揃っている。作らねばなるまい。。。


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