前々記事のヘッドホンアンプの特性を測定してみる（その２）

前々記事で作ったヘッドホンアンプ（以下HPA）の終段アイドル電流を30mAから60mAへ増やしてみた。

比較表

クロストーク値以外は、特性が向上か横ばいとなった。
frequency responseが一桁良くなっているのは、終段のMOS-FETが線形動作領域で動いているということか。
また、50Hz付近で特性が悪かったため、
　
・電源トランス－電源回路（整流＋平滑化＋定電圧化）
・電源回路－HPA回路

間の配線を最短にしたところ、

50Hzのノイズが減少

50Hzのノイズが-100dBを超えなくなった。
こうやって検証して改善した部分が、実際の測定結果として現れるのはとても嬉しい。

アイドル電流を60mAとしたところ、終段MOS-FETの温度が（放熱器付きで）50度に満たないぐらいだった。まったく問題無い範囲だろう。
ちなみに、30mAの時は40度前半だった。

これ以上流しても、そう劇的な変化は見られないため、アイドル電流は60mAでFIXとした。


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